半导体晶棒的生长工艺在制造过程中非常重要，基于此，下面就让杭州半导体晶棒的小编为你介绍下半导体晶棒的成长工艺吧。
1、融化
将块状高纯多晶硅置于坩埚中，加热至熔点1420℃以上，使其完全熔化。
2、颈部增长
待硅熔浆温度稳定后，慢慢向<1.0.0>方向插入晶种，慢慢拉起晶种，使直径减小到一定尺寸（一般为6mm左右）并保持直径不变。 .. , 并延长 100-200 毫米以消除种粒排列和取向的差异。
3、晶冠的生长
颈部长大后，慢慢降低提升速度和温度，逐渐将颈部直径增加到所需的尺寸（5、6、8、12英寸等）。
4、晶体生长
继续调整提升速度和熔化温度，使钢锭直径不发生变化，直到钢锭长度达到规定值。
5、尾部增长
当晶棒长度达到规定值时，逐渐加快提升速度，逐渐提高熔化温度，逐渐减小晶棒直径，避免热偏移和滑移的发生压力，完全分开。至此，就得到了一根完整的晶棒。
