半导体晶棒在制作过程当中的成长工序十分的重要，基于这一点，今天我们就来为你讲解下关对于晶棒的制作工序都有哪些?下面就让杭州半导体晶棒的小编为你讲解下!
1、融化
将块状高纯度多晶硅置于应时坩埚中，加热至1420℃以上的熔点，并完全熔化。
2、颈部生长
待硅熔体浆料温度稳定后，将< 1.0.0 >方向的籽晶缓慢插入，然后缓慢向上提拉籽晶，使其直径减小到一定尺寸(一般约6mm)，保持该直径，并延长100-200mm，以消除籽晶中晶粒排列和取向的差异。
3、晶体冠生长
颈部生长后，缓慢降低提升速度和温度，并逐渐将颈部直径增加至所需尺寸(如5、6、8、12英寸等)。
4、晶体生长
不断调整提升速度和熔化温度，保持晶棒直径不变，直到晶棒长度达到预定值。
5、尾部生长
当晶棒长度达到预定值时，提升速度逐渐加快，熔化温度逐渐升高，使晶棒直径逐渐减小，从而避免了热应力引起的偏移、滑移等现象的发生，使晶棒与液面完全分离。此时，获得了完整的晶体棒。
